1. 多重洁净系统
采用HEPA-ULPA级过滤模块，配合负压腔体设计，使内部洁净度稳定维持Class 1级别（ISO 14644-1标准）。惰性气体循环系统可动态控制氧含量＜0.1ppm，有效防止晶元表面氧化。
2. 精准温控架构
搭载多区红外加热模组与闭环PID控制系统，在150-450℃工作范围内实现±0.5℃的均匀性，满足28nm以下制程对热预算的严苛要求。
3. 智能化管理
通过MES系统集成，实时监测颗粒物浓度、温湿度等18项参数，历史数据可追溯性达99.99%，显著提升工艺稳定性。
该设备已应用于3D NAND存储芯片量产线，使晶元键合工序的良率提升12%，代表国产半导体装备的重要突破。
